德国莱布尼茨固体与材料研究所17日宣布，他们的一项理论计算结果显示，六碳环结构与钴聚合物有望使硬盘存储密度增加近千倍，其存储寿命有可能明显超过当前磁性记录存储技术大约10年的存储寿命极限。
据该机构专家介绍，这家研究所和德累斯顿工业大学的专家通过理论计算发现，在苯或石墨烯的六碳环结构中嵌入两个钴原子，并让其中一个钴原子与碳环结合后，在施加弱磁场和强电场的情况下，可以实现两个钴原子间的磁场切换，从而实现更强大的数据存储功能。
随着存储技术的发展，目前一个太比特（tb）硬盘可存储一个中型图书馆的信息量，其磁存储技术使用的是直径约为8纳米的钴粒。而新研究中，苯的六碳环直径只有0.5纳米，因而存储密度大大提升。
但参加这项研究的专家也指出，这一理论研究结果还有待试验来验证。